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SUP28N15-52
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
3.0
2.5
V GS = 10 V
I D = 5 A
100
2.0
T J = 150 °C
1.5
10
1.0
T J = 25 °C
0.5
0.0
- 50
- 25
0
25 50 75 100 125
150
175
1
0
0.3 0.6 0.9
1.2
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
THERMAL RATINGS
30
100
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
10 μs
25
100 μs
20
10
Limited
by
R DS(on)*
1 ms
15
10 ms
10
5
1
T C = 25 °C
Single Pulse
100 ms
DC
0
0
25
50 75 100 125
150
175
0.1
0.1
1 10
100
1000
2
1
0.1
T C - Case Temperature (°C)
Maximum Avalanche Drain Current
vs. Case Temperature
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.02
0.05
Single Pulse
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
30
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?71939 .
www.vishay.com
4
Document Number: 71939
S09-1501-Rev. B, 10-Aug-09
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